特許

J-GLOBAL ID：200903091501433498

GaN基板およびその製造方法

発明者： 元木 健作 ,  岡久 拓司 ,  笠井 仁
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-146551
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340509
出願日： 1999年05月26日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】 転位等の結晶欠陥が低減されたGaN基板及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 GaN単結晶からなるベース板2の一の面に、GaNの非晶質層4を形成する非晶質層形成工程と、非晶質層4上にGaNの単結晶層6を形成する単結晶層形成工程と、を備えることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

GaN単結晶からなるベース板の一の面に、GaNの非晶質層を形成する非晶質層形成工程と、前記非晶質層上に、GaNの単結晶層を形成する単結晶層形成工程と、を備えることを特徴とするGaN基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C

Fターム (35件)：

5F041AA40 ,  5F041CA22 ,  5F041CA25 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC13 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AE29 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045CA06 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA52 ,  5F045DA55 ,  5F045DP03 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ06 ,  5F045DQ08 ,  5F045EK06 ,  5F045HA04 ,  5F052KA02

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 窒化物半導体基板の製造方法及び窒化物半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-056047   出願人：日亜化学工業株式会社
• GaN単結晶およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-242967   出願人：三菱電線工業株式会社