積層型半導体レーザ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-265513
公開番号（公開出願番号）：特開平8-125270
出願日： 1994年10月28日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：

【要約】【目的】 2つの半導体レーザ素子を積層してなる積層型半導体レーザにおいてそれらの素子間からはみ出たはんだが下側の素子の発光層を覆いにくくする。【構成】半導体レーザ素子の上部電極8上の周辺部に絶縁層(SiO2 )7が形成されている。この図3に示す半導体レーザ素子を積層する場合、下側の素子の絶縁層7上に、上側の素子のはんだ層10が位置する。ここで、絶縁層7ははんだ濡れ性が悪いため、2の素子を接合する際に、はんだが素子間の外にはみ出したとしても、それが下側素子の発光層に付着することがない。

請求項（抜粋）：

上端に上部電極を有し下端にはんだ層を有してなる第1、第2の半導体レーザ素子を、第2の半導体レーザ素子のはんだ層により、前記第1の半導体レーザ素子の上部電極上に前記第2の半導体レーザ素子を積層形成してなる積層型半導体レーザにおいて、前記第1の半導体レーザ素子の上部電極の周辺部に絶縁層が形成されていることを特徴とする積層型半導体レーザ。

引用特許：

審査官引用 (5件)

スタックレーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-068022 出願人：日本電装株式会社
半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-358132 出願人：古河電気工業株式会社
特開昭61-001083

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