特許
J-GLOBAL ID:200903091510568045
薄膜トランジスタ・アレイ基板およびアクティブマトリックス型液晶表示装置
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
泉 克文
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-226054
公開番号(公開出願番号):特開2003-131261
出願日: 2002年08月02日
公開日(公表日): 2003年05月08日
要約:
【要約】【課題】 薄膜トランジスタ(TFT)の活性層へ向かう光を効果的に遮断して、TFTの光リーク電流を低減させる。【解決手段】 透光性基板1とTFT7との間に第1遮光膜3を設け、透光性基板1上にTFT31を覆うブラックマトリックス膜(第3遮光膜)13を設ける。そして、第1遮光膜3とTFT7との間には、照射された光を吸収可能な第2遮光膜5を設ける。TFTアレイ基板30の裏面側から入射した光がブラックマトリックス膜13やデータ線11で反射され、さらに第1遮光膜3で反射されても、それらの反射光はいずれも第2遮光膜5に照射され、第2遮光膜5で吸収されて遮断される。
請求項(抜粋):
透光性基板と、前記透光性基板上でマトリックス状に配置された薄膜トランジスタと、前記透光性基板上で前記薄膜トランジスタのマトリックスの行方向に沿って延在するゲート線と、前記透光性基板上で前記薄膜トランジスタのマトリックスの列方向に沿って延在し、且つ前記薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域の一方に電気的に接続されたデータ線と、前記透光性基板上で画素領域に配置され、且つ前記薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域の他方に電気的に接続された画素電極と、前記薄膜トランジスタの活性層と重なるように前記透光性基板と前記薄膜トランジスタとの間に設けられた第1遮光膜と、前記第1遮光膜と前記薄膜トランジスタとの間に設けられた、照射された光を吸収可能な第2遮光膜と、前記透光性基板上で前記薄膜トランジスタのマトリックスの列方向および列方向の各々に沿って延在し、且つ前記薄膜トランジスタを覆う第3遮光膜とを備える薄膜トランジスタ・アレイ基板。
IPC (4件):
G02F 1/1368
, G02F 1/1335 500
, H01L 21/336
, H01L 29/786
FI (5件):
G02F 1/1368
, G02F 1/1335 500
, H01L 29/78 619 B
, H01L 29/78 616 N
, H01L 29/78 616 A
Fターム (74件):
2H091FA34Y
, 2H091FA35Y
, 2H091FB01
, 2H091FC22
, 2H091FC26
, 2H091GA07
, 2H091GA13
, 2H091KA10
, 2H091LA03
, 2H091LA12
, 2H091LA17
, 2H091LA18
, 2H091MA07
, 2H092GA29
, 2H092GA59
, 2H092JA25
, 2H092JA46
, 2H092JB33
, 2H092JB51
, 2H092JB52
, 2H092JB53
, 2H092JB54
, 2H092KA04
, 2H092KA05
, 2H092KA10
, 2H092MA05
, 2H092MA07
, 2H092MA08
, 2H092MA13
, 2H092MA17
, 2H092MA27
, 2H092MA30
, 2H092NA01
, 2H092NA22
, 2H092NA25
, 2H092NA27
, 2H092PA09
, 2H092RA05
, 5F110AA06
, 5F110AA21
, 5F110AA30
, 5F110BB01
, 5F110CC02
, 5F110DD02
, 5F110DD12
, 5F110DD13
, 5F110DD17
, 5F110EE05
, 5F110EE09
, 5F110EE14
, 5F110EE30
, 5F110FF02
, 5F110FF29
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG45
, 5F110GG47
, 5F110HL03
, 5F110HL07
, 5F110HL23
, 5F110HM15
, 5F110NN03
, 5F110NN23
, 5F110NN35
, 5F110NN42
, 5F110NN44
, 5F110NN45
, 5F110NN46
, 5F110NN48
, 5F110NN54
, 5F110NN55
, 5F110NN72
, 5F110PP03
, 5F110QQ11
引用特許:
審査官引用 (7件)
-
液晶表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-307465
出願人:ソニー株式会社
-
液晶表示パネル
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-247295
出願人:セイコーエプソン株式会社
-
特開平4-152574
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