特許

J-GLOBAL ID：200903091555549858

半導体製造装置の反応炉

発明者： 谷山 智志 ,  柳川 秀宏
出願人/特許権者： 国際電気株式会社
代理人 (1件)： 三好 祥二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-117526
公開番号（公開出願番号）：特開平10-294286
出願日： 1997年04月21日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：

【要約】【課題】半導体製造装置の反応炉に於いて、反応炉から外部へのガスの漏出を防ぎ、又、ガスの漏出を瞬時に検知する。【解決手段】炉口部をOリング70を介して炉口蓋61により気密に閉塞可能とし、前記炉口蓋と炉口部との境界で前記Oリングの外側に検知用流路67を設け、該検知用流路に検知ポート68を連通させ、該検知ポートより吸引する様構成した半導体製造装置の反応炉により、前記検知用流路内の前記Oリング側の排気抵抗を小さくし、該反応炉から外部へのガスの漏出を防ぎ、又、ガスの漏出を瞬時に検知する。

請求項（抜粋）：

炉口部をOリングを介して炉口蓋により気密に閉塞可能とし、前記炉口蓋と炉口部との境界で前記Oリングの外側に検知用流路を設け、該検知用流路に検知ポートを連通させ、該検知ポートより吸引する様構成したことを特徴とする半導体製造装置の反応炉。

IPC (2件)：

H01L 21/22 511 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/22 511 Q ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体製造装置の熱処理炉
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-019758   出願人：国際電気株式会社
• 特開平4-269822
  
• 熱処理装置及び熱処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-100581   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社