特許
J-GLOBAL ID：200903091580158707

グラフェンシートの製造方法、半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者：
近藤 大雄

近藤 大雄 について

, 
佐藤 信太郎

佐藤 信太郎 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-322408
公開番号（公開出願番号）：特開2009-143761
出願日： 2007年12月13日
公開日（公表日）： 2009年07月02日
要約：
【課題】結晶性、層数を制御する。【解決手段】基板11上に絶縁層12を介して形成した活性層13にフラーレン分子14を堆積する工程と、活性層13およびフラーレン分子14を加熱して炭化物層15を形成する工程と、炭化物層15をさらに加熱する工程と、を有するグラフェンシート16の製造方法によって、基板11上に絶縁層12を介して形成した活性層13にフラーレン分子14が堆積され、活性層13およびフラーレン分子14を加熱して炭化物層15が形成され、炭化物層15がさらに加熱されて、ドメイン数が少なく高い結晶性を持つグラフェンシート16が形成される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に絶縁層を介して形成した活性層にフラーレン分子を堆積する工程と、 前記活性層および前記フラーレン分子を加熱して炭化物層を形成する工程と、 前記炭化物層をさらに加熱する工程と、 を有することを特徴とするグラフェンシートの製造方法。
IPC (4件)：
C01B 31/02 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (4件)：
C01B31/02 101Z ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A
Fターム (50件)：
4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AD22 ,  4G146AD28 ,  4G146BA04 ,  4G146BB05 ,  4G146BB10 ,  4G146CB11 ,  4M104AA03 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB14 ,  4M104BB30 ,  4M104BB34 ,  4M104CC01 ,  4M104DD79 ,  4M104DD83 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104GG08 ,  4M104GG09 ,  5F110AA16 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE02 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF09 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110QQ14
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)

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