特許
J-GLOBAL ID：200903091623847412

半導体素子の製造方法

発明者：
浅川 和彦

浅川 和彦 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (3件)： 亀谷 美明 ,  金本 哲男 ,  萩原 康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-154149
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356484
出願日： 2003年05月30日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：
【課題】STI技術を用いた素子において,トレンチ上端部の不要なエッチング溝の形成を防ぎ,他の工程に不具合を生じない半導体素子の製造方法を提供する。【解決手段】基板101上に保護酸化膜102,窒化膜103,窒化膜103を保護する絶縁膜104を順次形成する工程と,トレンチ105を形成する工程と,絶縁膜104をエッチングして開口端をアクティブ領域方向に広げる工程と,トレンチ105に熱酸化膜106を形成する工程と,絶縁膜104をマスクに窒化膜103をエッチングして熱酸化膜と窒化膜との段差をトレンチ上端部からアクティブ領域方向にスライドする工程と,充填酸化膜107を形成する工程と,窒化膜103を露出する工程と,充填酸化膜107をエッチングする工程と,窒化膜103及び保護酸化膜102を除去する工程と,を含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
STI技術を用いた半導体素子の製造方法において; アクティブ領域を保護する保護酸化膜,エッチングストッパとなる窒化膜が順次形成された基板に,前記窒化膜を保護する絶縁膜を形成する工程と, 素子分離領域の前記絶縁膜,前記窒化膜,前記保護酸化膜及び前記基板をエッチングし,トレンチを形成する工程と, 前記絶縁膜をエッチングし,前記絶縁膜の開口端を前記アクティブ領域の内部方向に広げる工程と, 熱処理を施し,前記トレンチに熱酸化膜を形成する工程と, 開口端を広げた前記絶縁膜をマスクに前記窒化膜をエッチングし,前記熱酸化膜と前記窒化膜との段差を前記トレンチ上端部から前記アクティブ領域の内部方向に移動する工程と, 前記トレンチを埋め込む充填酸化膜を形成する工程と, 前記充填酸化膜及び前記絶縁膜を選択的にエッチングし,前記窒化膜を露出する工程と, 前記トレンチ内の前記充填酸化膜をエッチングし,前記基板上面及び前記充填酸化膜上面の位置を合わせる工程と, 前記窒化膜及び前記保護酸化膜を除去する工程と, を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (1件)：
H01L21/76
FI (1件)：
H01L21/76 L
Fターム (12件)：
5F032AA35 ,  5F032AA36 ,  5F032AA45 ,  5F032AA75 ,  5F032AA77 ,  5F032DA02 ,  5F032DA25 ,  5F032DA27 ,  5F032DA28 ,  5F032DA32 ,  5F032DA33 ,  5F032DA53
引用特許：
審査官引用 (4件)
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