特許
J-GLOBAL ID：200903091690707676
三層レジスト法によるパターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-307627
公開番号（公開出願番号）：特開平7-160003
出願日： 1993年12月08日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】 簡便な三層レジスト法によるパターン形成方法を提供する。【構成】 シリコン基板11上に、下層レジスト層13を形成する。この下層13上に、アルコキシ基を有するポリ(シロキサン)誘導体例えばポリ(ジ-t-ブトキシシロキサン)と露光によって酸を発生する酸発生剤例えばビス(4-t-ブチルフェニル)ヘキサフロロアンチモネートとを含有する樹脂組成物をスピンコートしてから露光、加熱処理して中間層としてのSiO2 膜15を形成する。この中間層15上に、上層レジスト層17を形成する。この層17に、電子線による露光、さらに現像を行なってパターニングをし、次に中間層に対してCHF3 -RIEを行なった後、下層に対してO2 -RIEを行なう。
請求項（抜粋）：
三層レジスト法によるパターン形成方法であって、中間層形成材として、アルコキシ基を有するポリ(シロキサン)誘導体と、露光により酸を発生する酸発生剤とを含有する組成物を用い、及び、下層上に前記組成物の層を形成する工程と、該組成物の層に対して露光をする工程と、該露光済みの組成物の層上に上層を形成する工程とを含むことを特徴とする三層レジスト法によるパターン形成方法。
IPC (6件)：
G03F 7/26 511
, G03F 7/004 503
, G03F 7/028
, G03F 7/075 511
, G03F 7/11
, H01L 21/027
