特許
J-GLOBAL ID：200903091695075660
電解コンデンサ電極用アルミニウム箔およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
清水 久義 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-192975
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023870
出願日： 1999年07月07日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：
【要約】【課題】 エッチング特性の向上という観点から箔を最も効果的にエッチングピットの発生核を形成させて静電容量を増大しうる電解コンデンサ電極用アルミニウム箔およびその製造方法を提供する。【解決手段】 表面に微細な皮膜欠陥が多数形成されたアルミニウム箔であって、前記皮膜欠陥はJIS H8684 皮膜欠陥評価試験(浸漬時間30秒)による銅析出物として、円相当直径:0.5〜10μm、析出物数:250〜1300個/mm2 である。また、このような皮膜欠陥は、アルミニウムスラブを均熱処理し、熱間圧延および冷間圧延を行ってアルミニウム箔としたのち、このアルミニウム箔に少なくとも1回の交流電解エッチングを施し、さらに少なくとも1回のケミカルエッチングを施し、その後に最終焼鈍することにより形成される。
請求項（抜粋）：
表面に微細な皮膜欠陥が多数形成されたアルミニウム箔であって、前記皮膜欠陥は、JIS H8684 皮膜欠陥評価試験において試験液への浸漬時間を30秒とする以外は該試験よる銅析出物として、円相当直径:0.5〜10μm、析出物数:250〜1300個/mm2 であることを特徴とする電解コンデンサ電極用アルミニウム箔。
IPC (4件)：
H01G 9/04 304
, C23F 1/00
, C25F 3/04
, H01G 9/055
H01G 9/04 304
, C23F 1/00 Z
, C25F 3/04 D
, H01G 9/04 346
4K057WA05
, 4K057WB05
, 4K057WE03
, 4K057WE04
, 4K057WE08
, 4K057WE14
, 4K057WE30
, 4K057WG02
, 4K057WG03
, 4K057WG07
, 4K057WG10
, 4K057WK10
, 4K057WN01
