特許
J-GLOBAL ID:200903091696962104
基板メッキ装置
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
熊谷 隆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-282845
公開番号(公開出願番号):特開2000-109999
出願日: 1998年10月05日
公開日(公表日): 2000年04月18日
要約:
【要約】【課題】 半導体ウエハをカセットに入れず1枚ずつ連続的にメッキ装置内に導入し処理することができると共に、パーティクル汚染や酸化膜の形成を極力減少でき、且つ工程を少なくし装置の据付け面積を少さくすることが可能な基板メッキ装置を提供することを目的とする。【解決手段】 基板にメッキ処理を施すメッキ処理部、該メッキ処理後の基板を洗浄する洗浄処理部を具備する基板メッキ装置において、メッキ処理される基板を一枚ずつ当該基板メッキ装置内に導入し、メッキ処理及び水洗処理をした後、一枚ずつ当該基板メッキ装置外に排出するように、基板の基板メッキ装置内への導入と、排出の少なくとも片方をメッキ装置内の基板搬送機で行う。
請求項(抜粋):
基板にメッキ処理を施すメッキ処理部、該メッキ処理後の基板を洗浄する洗浄処理部を具備する基板メッキ装置において、前記メッキ処理される基板を一枚ずつ当該基板メッキ装置内に導入し、メッキ処理及び水洗処理をした後、一枚ずつ当該基板メッキ装置外に排出するように、前記基板の当該基板メッキ装置内への導入と排出の少なくとも片方をメッキ装置内の基板搬送機で行うことを特徴とする基板メッキ装置。
IPC (5件):
C25D 17/00
, C23C 18/31
, C25D 7/12
, H01L 21/288
, H01L 21/68
FI (5件):
C25D 17/00 Z
, C23C 18/31 E
, C25D 7/12
, H01L 21/288 E
, H01L 21/68 A
Fターム (32件):
4K022AA05
, 4K022AA42
, 4K022BA08
, 4K022CA03
, 4K022DA01
, 4K022DB15
, 4K022DB17
, 4K024AA09
, 4K024AB01
, 4K024BA15
, 4K024BB11
, 4K024CB01
, 4K024CB02
, 4K024CB03
, 4K024DA04
, 4K024GA16
, 4M104BB04
, 4M104BB30
, 4M104BB32
, 4M104CC01
, 4M104DD52
, 4M104DD53
, 4M104FF18
, 4M104FF22
, 5F031CA02
, 5F031FA01
, 5F031FA07
, 5F031FA12
, 5F031GA53
, 5F031MA23
, 5F031MA25
, 5F031NA07
引用特許:
出願人引用 (5件)
-
特開平4-293796
-
マルチ・コンパートメント電気メッキ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-316840
出願人:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
-
シリコンウエーハの保管方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-079601
出願人:信越半導体株式会社
-
特開昭63-255821
-
鍍金システム
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-180552
出願人:株式会社エフオーアイ
全件表示
審査官引用 (5件)
-
特開平4-293796
-
マルチ・コンパートメント電気メッキ装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-316840
出願人:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
-
シリコンウエーハの保管方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-079601
出願人:信越半導体株式会社
-
特開昭63-255821
-
鍍金システム
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-180552
出願人:株式会社エフオーアイ
全件表示
前のページに戻る