特許
J-GLOBAL ID：200903091704268522
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-056320
公開番号（公開出願番号）：特開平11-261034
出願日： 1998年03月09日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】 書き込みおよび消去判定の判定時間を高速に行い、書き込みおよび消去の高速化を実現することができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 メモリセルにおける書き込みまたは消去判定の救済機能を持つフラッシュメモリであって、書き込みおよび消去時にセンスラッチ回路にデータを書き込む入出力切り替え回路7は、インバータ、否定論理積ゲート、NMOSトランジスタなどからなり、マット選択信号MSU、書き込みモード信号WMBおよび消去モード信号EMBを入力として、これらの論理演算による強制反転信号、入出力バッファ5からの書き込み・消去データ、メインアンプ6への読み出しデータが制御信号の制御により選択され、書き込み・消去時のベリファイ判定前の強制反転時に第3制御信号が活性化されて、書き込み・消去の終了するデータが外部より強制的に入力される。
請求項（抜粋）：
書き込みまたは消去可能な不揮発性記憶素子を有し、この不揮発性記憶素子における書き込みまたは消去判定の救済機能を持つ不揮発性半導体記憶装置であって、各データ線によりゲート制御される複数のMOSトランジスタからなり、前記不揮発性記憶素子の書き込みまたは消去の終了を示す一致回路と、前記複数のMOSトランジスタのドレイン共有線の電位を検知し、前記一致回路による書き込みまたは消去の終了を判定する一致判定回路とを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 27/115
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
