特許

J-GLOBAL ID：200903091743515383

ポリシリコン破砕物を清浄化する方法

発明者： ハンス ヴォホナー ,  クリスティアン ゴスマン ,  ヘルベルト リントナー
出願人/特許権者： ワッカー ケミー アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (8件)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  杉本 博司 ,  星 公弘 ,  二宮 浩康 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-175903
公開番号（公開出願番号）：特開2008-013432
出願日： 2007年07月04日
公開日（公表日）： 2008年01月24日
要約：

【課題】費用をかけずに、低い酸使用量及び低いシリコン損失量で、多結晶シリコン破砕物を<100ppbw、有利に<10ppbwの金属含有量にまで清浄化する方法を提供すること。【解決手段】ポリシリコン破砕物を、HF及びH2O2を有する水性清浄化溶液中に入れ、前記水性清浄化溶液を除去し、こうして得られたポリシリコン破砕物を高純度の水で洗浄し、引き続き乾燥させる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

多結晶のシリコン破砕物を<100ppbwの金属含有量まで清浄化する方法において、ポリシリコン破砕物を、HF及びH2O2を有する水性清浄化溶液中に入れ、前記水性清浄化溶液を除去し、こうして得られたポリシリコン破砕物を高純度の水で洗浄し、引き続き乾燥させることを特徴とする、多結晶シリコン破砕物を清浄化する方法。

IPC (1件)：

C01B 33/037

FI (1件)：

C01B33/037

Fターム (13件)：

4G072AA01 ,  4G072BB05 ,  4G072DD01 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ11 ,  4G072JJ18 ,  4G072JJ26 ,  4G072MM08 ,  4G072TT01 ,  4G072TT02 ,  4G072UU02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• US 6,309,467 B1
  

審査官引用 (3件)

• 多結晶シリコンの洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-180339   出願人：信越半導体株式会社
• 多結晶シリコン
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-254115   出願人：ワッカー・ケミー・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
• 多結晶シリコンおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-279778   出願人：住友チタニウム株式会社