特許
J-GLOBAL ID：200903091781069524
半導体デバイス製造用窒化珪素膜のエッチング組成物、エッチング方法及びそれによって製造された半導体デバイス
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-065126
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284467
出願日： 1998年03月16日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：
【要約】【課題】 半導体デバイス製造工程で使用される窒化珪素膜を低温、短時間でエッチングする。それによって併せて、窒化珪素膜を使用する半導体デバイスの生産性を向上させる。【解決手段】 フッ酸と燐酸塩水溶液とを混合してなるエッチング組成物を用いて窒化珪素膜をエッチングする。前記組成物が入っているエッチングチャンバー内に、窒化珪素膜が形成された半導体デバイス製造用ウェーハを投入して、前記エッチング組成物を加熱、気化させる。気化されたエッチング組成物にウェーハを露出することによって窒化珪素膜をエッチングする。
請求項（抜粋）：
フッ酸と燐酸塩水溶液とを混合して成る、半導体デバイス製造用窒化珪素膜のエッチング組成物。
IPC (2件)：
H01L 21/306
, H01L 21/308
H01L 21/306 E
, H01L 21/308 E
