半導体窒化膜エッチング装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：葛野信一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-081176
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275091
出願日： 1996年04月03日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：

【要約】【課題】シリコン窒素化膜のエッチングレートの安定化およびエッチング選択比の安定的制御を得る。【解決手段】熱燐酸系の薬液において、燐酸濃度、シリコン濃度、弗素濃度、比重等を測定する手段を設け、薬液添加物の制御、薬液の交換等により、薬液の成分および濃度、特にシリコン濃度の調整を行うようにし、エッチングレートを制御するようにした。

請求項（抜粋）：

加熱した燐酸溶液を主剤とする薬液に弗化アンモンまたはバッファード弗酸を添加する手段を備えたことを特徴とする半導体窒化膜エッチング装置。

IPC (2件)：

H01L 21/306 , H01L 21/308

FI (3件)：

H01L 21/306 J , H01L 21/308 E , H01L 21/306 E

引用特許：

審査官引用 (11件)

エッチング剤及びエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-242228 出願人：日本モトローラ株式会社
特開昭60-137024
エッチング処理液の制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-199648 出願人：三菱化成株式会社

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