特許
J-GLOBAL ID：200903091785227272

ダイヤモンド紫外光センサー素子

発明者：
小出 康夫

小出 康夫 について


出願人/特許権者：
独立行政法人物質・材料研究機構

独立行政法人物質・材料研究機構 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-124302
公開番号（公開出願番号）：特開2005-310963
出願日： 2004年04月20日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：
【課題】 従来のSi、AlxGa1-xN(0≦x≦1)、及びダイヤモンド半導体を受光部に用いた光伝導型受光素子は、例えば、波長220nmや230nmの紫外光に対して受光感度の限界値が、それぞれ0.18A/W及び0.19A/Wであり、極微弱光に対する光誘起電流量の変化は極めて小さいものであった。【解決手段】素子構造の複雑化を回避しながら光伝導型センサー素子の特徴を生かしつつ、波長230nm以下の紫外光に対する受光感度を上記限界値の少なくとも15000倍程度高めたダイヤモンド紫外光センサー素子。受光部の電気抵抗変化又は光誘起電流量の変化によって、受光部に照射される波長230nm以下の紫外光を検出し、波長400nm以上の可視光には検出感度を持たない光伝導型センサー素子、その光伝導型センサー素子を用いた火炎センサー及び紫外光センサー。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
受光部材料の電気抵抗の変化又は光誘起電流の変化によって、受光部に照射される光を検 出する光伝導型センサー素子であって、主たるキャリアが正孔である表面伝導層を持つダ イヤモンド単結晶を受光部に持つダイヤモンド紫外光センサー素子。
IPC (2件)：
H01L31/08 ,  G01J1/02
FI (2件)：
H01L31/08 Z ,  G01J1/02 G
Fターム (12件)：
2G065AA04 ,  2G065AB05 ,  2G065BA02 ,  2G065DA06 ,  5F088AA12 ,  5F088AB03 ,  5F088BA01 ,  5F088BB10 ,  5F088CB03 ,  5F088CB15 ,  5F088FA05 ,  5F088GA04
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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