特許
J-GLOBAL ID:200903091809505414
誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-083362
公開番号(公開出願番号):特開2004-292186
出願日: 2003年03月25日
公開日(公表日): 2004年10月21日
要約:
【課題】静電容量の温度特性が良好で、内部電極材料としてニッケル等の卑金属を用いることができ、還元性雰囲気中で焼成可能な、積層セラミックコンデンサの誘電体セラミック層を構成するのに適した誘電体セラミックを提供する。【解決手段】一般式(Ba1-xCax)mTiO3+αBaO+βCaO+γMnO+δMgO+εSiO2+ζRe2O3で表わされる誘電体セラミック。但し、Reは希土類元素であり、0.04≦x≦0.20、0.990≦m≦1.035、0.001≦α≦0.038、0.001≦α+β≦0.076、0.0001≦γ≦0.05、0.001≦δ≦0.025、0.002≦ε≦0.08、0.001≦ζ≦0.05の範囲内にある。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
一般式:(Ba1-xCax)mTiO3+αBaO+βCaO+γMnO+δMgO+εSiO2+ζRe2O3(但し、Re2O3は、Sc2O3、La2O3、Ce2O3、Nd2O3、Sm2O3、Tm2O3およびLu2O3の中から選ばれる少なくとも1種以上)で表わされ、x、m、α、β、γ、δ、ε、ζが0.04≦x≦0.20、0.990≦m≦1.035、0.001≦α≦0.038、0.001≦α+β≦0.076、0.0001≦γ≦0.05、0.001≦δ≦0.025、0.002≦ε≦0.08、0.001≦ζ≦0.05の範囲内(ただし、α、β、γ、δ、ε、ζはモル比)にあることを特徴とする、誘電体セラミック。
IPC (3件):
C04B35/46
, H01B3/12
, H01G4/12
FI (4件):
C04B35/46 D
, H01B3/12 303
, H01G4/12 358
, H01G4/12 361
Fターム (47件):
4G031AA03
, 4G031AA04
, 4G031AA06
, 4G031AA07
, 4G031AA09
, 4G031AA11
, 4G031AA19
, 4G031AA30
, 4G031AA39
, 4G031AA40
, 4G031BA09
, 4G031CA07
, 4G031CA08
, 4G031GA02
, 4G031GA03
, 4G031GA05
, 4G031GA10
, 4G031GA11
, 4G031GA18
, 5E001AB03
, 5E001AC04
, 5E001AC09
, 5E001AE00
, 5E001AE02
, 5E001AE03
, 5E001AF00
, 5E001AF06
, 5E001AH07
, 5E001AH09
, 5E001AJ01
, 5E001AJ03
, 5G303AA01
, 5G303AB06
, 5G303AB11
, 5G303BA12
, 5G303CA01
, 5G303CB03
, 5G303CB06
, 5G303CB08
, 5G303CB15
, 5G303CB17
, 5G303CB18
, 5G303CB22
, 5G303CB30
, 5G303CB35
, 5G303CB41
, 5G303CB43
引用特許: