半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-235354
公開番号（公開出願番号）：特開平9-083241
出願日： 1995年09月13日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】アンテナ鏡像利用により利得及び指向性を増すことができ、かつこれに伴う素子間距離の増大を招くことなく回路機能相互間を十分に分離することができ、利得及び指向性の向上とチップ面積縮小の双方を達成し得る。【解決手段】アンテナを集積化したMMICにおいて、GaAs基板10の主面に形成されたHBTと抵抗,容量素子からなる60GHzの処理回路11と、基板10の主面に形成され処理回路11に接続された線路14と、基板10の主面上にポリイミド膜12を介して形成され、線路14と共に逆マイクロストリップ線路を構成し、かつスロットアンテナを構成する第2の接地導体層13と、基板10の裏面に形成され第1の接地導体層18とを具備し、基板10の厚さを電磁波の波長の1/4である330μmに設定した。

請求項（抜粋）：

半絶縁性化合物半導体基板の主面に形成された少なくとも一つの半導体素子を含む回路素子と、前記基板の主面上に形成され電磁波を入力又は出力するアンテナ素子と、前記基板の裏面に形成された第1の接地導体層と、前記基板の主面に形成され前記回路素子に接続された線路と、前記線路と共に伝送路を構成する第2の接地導体層とを具備してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01Q 13/08 , H01Q 1/24 , H01Q 1/40 , H01Q 23/00

FI (4件)：

H01Q 13/08 , H01Q 1/24 Z , H01Q 1/40 , H01Q 23/00

引用特許：

審査官引用 (6件)

アンテナ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-141758 出願人：日本電信電話株式会社
マイクロ波集積回路付きアンテナ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-321936 出願人：株式会社エイ・ティ・アール光電波通信研究所
特開昭63-211804

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