ドライエッチングを用いた半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-066293
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260870
出願日： 1999年03月12日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】有機シリコン膜を用いた二重溝配線の層間絶縁膜、コンタクトホール、深いトレンチマスク等の形成方法を提供する。【解決手段】ポリシラン等を形状加工後、二重溝配線の層間絶縁膜として使用することにより配線溝加工で問題になる形状及び深さ制御とボーダレスエッチングの回避を行う。またポリシランと絶縁膜とを積層構造とし、加工後一体化することにより高アスペクト比のコンタクトホール加工を容易にする。またポリシランの表面を選択的に絶縁膜とし、ドライエッチングのマスクとする。また反射防止膜やエッチングマスクとして用いるポリシランを酸化膜又は窒化膜に変化して容易に剥離することができる。これらを用いて高密度集積回路の素子領域、素子分離領域形成の平坦化、高歩留まりのセルフアラインコンタクトホールや配線溝の形成、ゲート電極のパターン形成に応用することができる。

請求項（抜粋）：

シリコンとシリコンとの結合を主鎖に有する有機シリコン膜を半導体基板上に形成し、前記有機シリコン膜をドライエッチングして、前記ドライエッチングされた有機シリコン膜を絶縁膜に変化させて半導体装置の絶縁物からなる部分を形成することを特徴とするドライエッチングを用いた半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 , H01L 21/3065 , H01L 21/312 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (5件)：

H01L 21/90 P , H01L 21/28 L , H01L 21/312 C , H01L 21/302 J , H01L 29/78 301 Y

Fターム (83件)：

4M104BB28 , 4M104CC05 , 4M104DD02 , 4M104DD66 , 4M104EE06 , 4M104EE18 , 4M104GG09 , 4M104HH20 , 5F004AA05 , 5F004AA11 , 5F004BA04 , 5F004BA14 , 5F004BA20 , 5F004DA00 , 5F004DA04 , 5F004DA23 , 5F004DA24 , 5F004DA26 , 5F004DB00 , 5F004DB03 , 5F004DB26 , 5F004EA04 , 5F004EA15 , 5F004EA23 , 5F004EA26 , 5F004EA33 , 5F004EB01 , 5F004EB02 , 5F004EB03 , 5F033HH09 , 5F033JJ01 , 5F033JJ09 , 5F033KK07 , 5F033MM02 , 5F033NN17 , 5F033QQ04 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ13 , 5F033QQ15 , 5F033QQ16 , 5F033QQ21 , 5F033QQ23 , 5F033QQ25 , 5F033QQ28 , 5F033QQ30 , 5F033QQ35 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ60 , 5F033QQ61 , 5F033QQ63 , 5F033QQ64 , 5F033QQ74 , 5F033QQ79 , 5F033QQ89 , 5F033QQ90 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033SS21 , 5F033TT04 , 5F033VV16 , 5F033XX01 , 5F033XX04 , 5F033XX15 , 5F033XX31 , 5F040EC07 , 5F040EC13 , 5F040ED03 , 5F040FA06 , 5F040FA18 , 5F040FC19 , 5F040FC21 , 5F040FC27 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AD02 , 5F058AD05 , 5F058AF04 , 5F058AG04 , 5F058AH02 , 5F058AH05

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-009283 出願人：ソニー株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-324607 出願人：三菱電機株式会社
特開平2-106948

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