特許

J-GLOBAL ID：200903091847766094

半導体装置

発明者： 荻原 光彦 ,  中村 幸夫 ,  浜野 広 ,  谷中 真澄
出願人/特許権者： 株式会社沖デジタルイメージング ,  株式会社沖データ
代理人 (1件)： 前田 実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-365921
公開番号（公開出願番号）：特開2003-168819
出願日： 2001年11月30日
公開日（公表日）： 2003年06月13日
要約：

【要約】【課題】 LEDを高密度で配置すると共に、個々のLEDをマトリックス駆動により選択的に点灯可能とするLEDアレイを構成可能な半導体装置を提供する。【解決手段】 n型半導体の活性層14を挟むように、これよりエネルギーバンドギャップの高いn型半導体の第1と第2のクラッド層13,15を配置したエピウエハ10にp型拡散層21を形成し、表面側にp、nの両電極31,32を設ける。そして、活性層14より下層に配置された半絶縁性のバッファ層12まで達するブロック分離領域22の溝を形成して、個々に複数のLEDを有して電気的に分離した単位ブロックを形成する。

請求項（抜粋）：

多層の半導体層からなる半導体エピタキシャルウエハを有する半導体装置であり、第1導電型の活性層を構成する第1の半導体層と、該第1の半導体層に対して、前記半導体エピタキシャルウエハの表面と反対側にあって、半絶縁性、又は前記第1導電型と反対導電型の第2導電型の第2の半導体層とを有し、前記表面から前記第2の半導体層に達する溝によるブロック分離領域を形成することにより、電気的に分離した複数の単位ブロックを有することを特徴とする半導体装置。

Fターム (10件)：

5F041AA41 ,  5F041CA04 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA65 ,  5F041CA72 ,  5F041CA75 ,  5F041CA85 ,  5F041CB23 ,  5F041FF13

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体素子及び半導体素子アレイ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-325890   出願人：沖電気工業株式会社
• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-193914   出願人：沖電気工業株式会社