特許
J-GLOBAL ID：200903091550236665
半導体発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-193914
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031543
出願日： 1998年07月09日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】 発光効率の高い発光素子構造を提供する。【解決手段】 n型Aly Ga1-y As層104の上にこれよりもエネルギバンドギャップが大きいn型Alx Ga1-x As層105を設け、その上の最上層に半絶縁性GaAs層106を設けた半導体基板100を用い、基板上面からAly Ga1-y As層104の内部までの基板領域に、第1のp型拡散領域110Aを形成し、基板上面からAlx Ga1-x As層105の内部までの基板領域に、第1の拡散領域110Aに連結し、電流パスとして機能する第2のp型拡散領域110Bを形成し、第1の拡散領域110Aの上以外の基板表面側に、第2の拡散領域110Bにオーミックコンタクトするp側電極108を設ける。発光源を構成する第1の拡散領域110Aの上には、発生した光を遮蔽する電極がないので、第1の拡散領域110Aの全表面から光を取り出すことができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の第1導電型の半導体層に基板上面から第2導電型の不純物を選択的に拡散することによりpn接合を有する発光素子を形成した半導体発光装置において、第1の半導体層の上に第1の半導体層よりもエネルギバンドギャップの大きい第2の半導体層を積層した第1導電型の半導体層を有する半導体基板と、基板上面から前記第1の半導体層の内部までの基板領域に形成された第1の拡散領域と、前記第1の拡散領域に連結しており、基板上面から前記第2の半導体層の内部までの基板領域に形成された第2の拡散領域と、前記半導体基板の第1導電型領域にコンタクトする第1導電側電極と、前記第1の拡散領域の上を除く基板上面側に設けられ、前記第2の拡散領域にコンタクトする第2導電側電極とを備えたことを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (7件)：
5F041CA35
, 5F041CA36
, 5F041CA72
, 5F041CA91
, 5F041CA98
, 5F041CA99
, 5F041CB22
