密着性に優れた配線下地膜およびこの配線下地膜を形成するためのスパッタリングターゲット

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：富田和夫 , 鴨井久太郎 , 影山秀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-155111
公開番号（公開出願番号）：特開2008-311283
出願日： 2007年06月12日
公開日（公表日）： 2008年12月25日
要約：

【課題】TFTトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイの配線膜をガラス基板に強固に密着させるための銅合金下地膜およびその膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】酸素:6越え〜20モル%を含有し、さらにMo、Mn、Ca、Zn、Ni、Ti、Al、MgおよびFeのうちの1種または2種以上を合計で0.2〜5モル%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金膜からなる配線下地膜並びに同じ成分組成を有する配線下地膜形成するためのスパッタリングターゲット。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸素:6越え〜20モル%を含有し、さらにMo、Mn、Ca、Zn、Ni、Ti、Al、MgおよびFeのうちの1種または2種以上を合計で0.2〜5モル%を含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金膜からなることを特徴とする密着性に優れた配線下地膜。

IPC (5件)：

H01L 21/285 , C23C 14/34 , H01L 21/28 , H01L 21/320 , H01L 23/52

FI (4件)：

H01L21/285 S , C23C14/34 A , H01L21/28 301R , H01L21/88 R

Fターム (31件)：

4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA08 , 4K029BA21 , 4K029BB02 , 4K029BC03 , 4K029BD02 , 4K029CA05 , 4K029DC04 , 4K029DC34 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB04 , 4M104CC05 , 4M104DD40 , 4M104DD79 , 4M104EE03 , 4M104EE17 , 4M104FF13 , 4M104GG08 , 4M104HH08 , 5F033GG04 , 5F033HH12 , 5F033MM05 , 5F033PP15 , 5F033QQ85 , 5F033RR06 , 5F033SS15 , 5F033VV06 , 5F033VV15 , 5F033XX13

引用特許：

出願人引用 (2件)

金属薄膜の作成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-204658 出願人：株式会社小松製作所
金属膜の形成方法および配線用金属膜
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-163523 出願人：富士通株式会社

審査官引用 (4件)

回路基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-392729 出願人：デプト株式会社
特開昭64-064338
金属薄膜の作成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-204658 出願人：株式会社小松製作所

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