特許
J-GLOBAL ID：200903091884025690

超臨界乾燥方法および超臨界乾燥装置

発明者：
生津 英夫

生津 英夫 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-134441
公開番号（公開出願番号）：特開2001-319917
出願日： 2000年05月08日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：
【要約】【課題】 パターン倒れの発生を抑制し、より迅速に超臨界乾燥ができるようにする。【解決手段】 パターン101aが形成された基板101を水102に浸漬して水洗した後、基板101を所定の密閉可能な容器の反応室内に載置し、この反応室内に界面活性剤が添加された液化二酸化炭素を導入し、界面活性剤が添加された液化二酸化炭素103に浸漬させる。
請求項（抜粋）：
基板上に形成された所定のパターンを有するパターン層を水に晒す第1の工程と、この第1の工程の後、前記パターン層に前記水が付着している状態で前記パターン層を界面活性剤が添加された大気雰囲気では気体である無極性物質の液体に晒し、前記パターン層に付着している水を前記無極性物質の液体に乳化させる第2の工程と、この第2の工程の後、前記パターン層に付着している無極性物質を超臨界状態とする第3の工程と、この第3の工程の後、前記パターン層に付着している超臨界状態の無極性物質を気化させる第4の工程とを少なくとも備えたことを特徴とする超臨界乾燥方法。
IPC (6件)：
H01L 21/304 651 ,  C11D 1/06 ,  C11D 1/82 ,  F26B 7/00 ,  F26B 9/06 ,  F26B 21/14
FI (6件)：
H01L 21/304 651 Z ,  C11D 1/06 ,  C11D 1/82 ,  F26B 7/00 ,  F26B 9/06 ,  F26B 21/14
Fターム (24件)：
3L113AA01 ,  3L113AB10 ,  3L113AC48 ,  3L113AC49 ,  3L113AC50 ,  3L113AC57 ,  3L113AC67 ,  3L113AC75 ,  3L113BA34 ,  3L113CA08 ,  3L113CA10 ,  3L113CA11 ,  3L113CB23 ,  3L113CB28 ,  3L113DA04 ,  3L113DA10 ,  3L113DA24 ,  4H003AA02 ,  4H003AB06 ,  4H003AC21 ,  4H003BA12 ,  4H003DA15 ,  4H003EA31 ,  4H003FA21
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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