薄膜のドライエッチング方法および薄膜半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-220302
公開番号（公開出願番号）：特開平11-111702
出願日： 1998年08月04日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：

【要約】【課題】所望のテーパ角度で、かつ高い加工寸法精度でエッチングを実施することを可能とする薄膜のドライエッチング方法を提供すること。【解決手段】被処理薄膜上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして用いて、被処理薄膜を、第1のエッチング条件で、選択的にドライエッチングする第1のエッチング工程と、レジストパターンをマスクとして用いて、被処理薄膜を、第1のエッチング条件とは異なる第2のエッチング条件で、選択的にドライエッチングする第2のエッチング工程とを具備し、第1のエッチング工程から第2のエッチング工程への切り替えは、被処理薄膜の選択的エッチングが完了する直前に行われることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

被処理薄膜上にレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクとして用いて、被処理薄膜を、第1のエッチング条件で、選択的にドライエッチングする第1のエッチング工程と、前記レジストパターンをマスクとして用いて、被処理薄膜を、前記第1のエッチング条件とは異なる第2のエッチング条件で、選択的にドライエッチングする第2のエッチング工程とを具備し、前記第1のエッチング工程から前記第2のエッチング工程への切り替えは、前記被処理薄膜の選択的エッチングが完了する直前に行われることを特徴とする薄膜のドライエッチング方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 , G02F 1/136 500 , H01L 21/3213 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/302 M , G02F 1/136 500 , H01L 21/88 D , H01L 29/78 627 C

引用特許：

審査官引用 (6件)

多層薄膜回路およびその形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-221296 出願人：京セラ株式会社
特開平1-101634
特開平1-101634

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