電極配線材料およびこれを用いた電極配線基板

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-253259
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153722
出願日： 1995年09月29日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【課題】本発明は、充分に低い抵抗率を有し、しかも取扱いが容易である電極配線材料を提供すること、およびこの電極配線材料を用いた信頼性の高い電極配線基板を提供することを目的とする。【解決手段】MoおよびWから選ばれた少なくとも1種を主成分とし、0.0003原子%〜5原子%のAr、0.0003原子%〜3原子%のKr、および0.0003原子%〜3原子%のXeからなる群より選ばれた添加元素を含むことを特徴としている。また、ガラス基板上に電極配線が形成されてなる電極配線基板において、前記電極配線がMoおよびWから選ばれた少なくとも1種の金属で構成されており、前記電極配線における材料のバルク状態の格子定数に対する前記材料の格子定数の割合が±3%以内であることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

MoおよびWから選ばれた少なくとも1種を主成分とし、0.0003原子%〜5原子%のAr、0.0003原子%〜3原子%のKr、および0.0003原子%〜3原子%のXeからなる群より選ばれた添加元素を含むことを特徴とする電極配線材料。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 , G02F 1/1343 , H01L 21/285 , H01L 21/285 301 , H01L 29/786

FI (3件)：

H01L 21/88 M , H01L 29/78 612 C , H01L 29/78 617 M

引用特許：

出願人引用 (5件)

薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-058711 出願人：富士通株式会社
特開平2-001918
半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-125157 出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立マイコンシステム

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審査官引用 (5件)

薄膜形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-058711 出願人：富士通株式会社
特開平2-001918
特開平2-001918

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