金属膜作製装置及びクリーニング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：光石俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-133851
公開番号（公開出願番号）：特開2002-327273
出願日： 2001年05月01日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【課題】成膜速度が速く、安価な材料を用いることができ、膜中に不純物が残留しない金属膜を成膜することができ、しかも、チャンバ及び導入容器の内壁に付着した金属膜を除去することができるようにする。【解決手段】チャンバ1内で原料ガス5と銅製の噴射板9により前駆体30を生成し、前駆体30からClを還元除去しCu活性種にして基板12に当てることでCu薄膜33を生成し、クリーニング時に噴射板9を冷却すると共にCl2 ガスをプラズマ化してチャンバ1の内壁に付着したCu成分を離脱させ、成膜速度が速く、安価な材料を用いることができ、膜中に不純物が残留しない金属膜を成膜することができ、しかも、チャンバ及び導入容器の内壁に付着した金属膜を除去することができるようにする。

請求項（抜粋）：

多数の噴射穴が穿設された金属製の噴射板を有しその内部に塩素を含有する原料ガスが供給される導入容器と、導入容器及び基板を収容するチャンバと、導入容器内の原料ガスをプラズマ化して原料ガスプラズマを発生させ原料ガスプラズマで噴射板をエッチングすることによって噴射板に含まれる金属成分と原料ガス中の塩素との前駆体を生成する第1プラズマ発生手段と、チャンバ内で水素を含有する還元ガスをプラズマ化して還元ガスプラズマを発生させる第2プラズマ発生手段とを備え、噴射板をエッチングすることにより生成された前駆体が還元ガスプラズマ中に通されることにより、前駆体から塩素が還元除去され金属活性種のみにされて基板に当てられて基板上に金属膜が生成し、更に、噴射板を冷却する冷却手段と、チャンバ内に塩素を含有するクリーニング用のガスを供給するクリーニングガス供給手段をと備え、冷却手段により噴射板を冷却すると共にクリーニングガス供給手段からクリーニング用の塩素を含有するガスを供給し、第1プラズマ発生手段または第2プラズマ発生手段の少なくとも一方により塩素ガスをプラズマ化することで、チャンバの内壁に付着した金属成分を除去することを特徴とする金属膜作製装置。

IPC (2件)：

C23C 16/44 , H01L 21/285

FI (2件)：

C23C 16/44 J , H01L 21/285 C

Fターム (9件)：

4K030BA01 , 4K030DA06 , 4K030FA01 , 4K030LA15 , 4M104BB04 , 4M104DD43 , 4M104DD44 , 4M104DD45 , 4M104HH20

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平3-126870
特開平4-316327
特開平3-020484

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審査官引用 (13件)

特開平3-126870
特開平3-126870
特開平4-316327

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