薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：長南満輝男 , 花輪義男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-378476
公開番号（公開出願番号）：特開2006-100760
出願日： 2004年12月28日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：

【課題】真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜を有する薄膜トランジスタの製造に際し、加工精度を良くする。【解決手段】まず、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜8の上面全体に保護膜9を形成し、その上に上層絶縁膜12を成膜する。次に、上層絶縁膜12および保護膜9にコンタクトホール10、11を形成する。この場合、チャネル長Lは2つのコンタクトホール10、11間の間隔により決定され、チャネル幅Wはコンタクトホール10、11の所定方向の寸法により決定される。これにより、半導体薄膜8にサイドエッチングがやや生じても、チャネル長Lおよびチャネル幅Wに寸法変化が生じることはない。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体薄膜と、該半導体薄膜の一面に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜を介して前記半導体薄膜に対向して形成されたゲート電極と、前記半導体薄膜に電気的に接続されたソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタであって、前記半導体薄膜の周辺部上に、該半導体薄膜の端面と同一形状の端面を有する絶縁膜が形成され、該絶縁膜から露出された前記半導体薄膜に前記ソース電極および前記ドレイン電極が接続されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 627C

Fターム (36件)：

5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110FF03 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG45 , 5F110HJ12 , 5F110HJ22 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK08 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL07 , 5F110HL08 , 5F110HL11 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110NN03 , 5F110NN12 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110QQ01 , 5F110QQ09 , 5F110QQ12

引用特許：

出願人引用 (1件)

薄膜トランジスタの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-252845 出願人：カシオ計算機株式会社

審査官引用 (6件)

特開昭59-050564
特開昭61-089671
半導体装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-065813 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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