特許
J-GLOBAL ID：200903091948489148

熱処理方法および熱処理装置

発明者：
中川 義明

中川 義明 について

, 
小林 秀徳

小林 秀徳 について


出願人/特許権者：
三菱住友シリコン株式会社

三菱住友シリコン株式会社 について


代理人 (1件)： 工藤 宣幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-275341
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111819
出願日： 2002年09月20日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：
【課題】測温手段の測定誤差等の影響を受けずに正確な熱処理ができる。【解決手段】ウェーハを複数のゾーンに分割すると共に、各ゾーン毎に個別に制御して熱処理する熱処理方法である。熱処理中の電力、温度などのプロセスデータのうち1又は複数のデータをリアルタイムに採取して保存すると共に、各ステップ毎に統計処理を行い、熱処理中の現在の統計値と、それと同一のプロセスデータの過去の統計値又は関連する他の統計値とを比較して現在のプロセス状態を把握し、その結果に基づいて制御する。この方法を実施するために、電力等の測定手段と、データの保存手段と、当該保存手段のデータを統計処理した統計値と過去の統計値又は関連する他の統計値とを比較して現在のプロセス状態を把握し、その結果に基づいて制御する制御手段とを備えた。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
薄板状加熱対象物を複数のゾーンに分割すると共に、各ゾーン毎に個別に制御して熱処理する熱処理方法において、 熱処理中のプロセスデータのうち1又は複数のデータをリアルタイムに採取して保存すると共に、各ステップ毎に統計処理を行い、熱処理中の現在の統計値と、それと同一のプロセスデータの過去の統計値又は関連する他の統計値とを比較して現在のプロセス状態を把握し、その結果に基づいて制御することを特徴とする熱処理方法。
IPC (2件)：
H01L21/205 ,  H01L21/26
FI (2件)：
H01L21/205 ,  H01L21/26 T
Fターム (7件)：
5F045BB01 ,  5F045DP02 ,  5F045EK11 ,  5F045EK22 ,  5F045EK27 ,  5F045GB04 ,  5F045GB05
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-264868   出願人：株式会社東芝
  • CVD装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-009100   出願人：株式会社日立製作所
  • 常圧気相成長装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-003528   出願人：日本電気株式会社

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