特許
J-GLOBAL ID:200903091961595321

結晶成長装置及びこれを使用した結晶成長方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 工業技術院電子技術総合研究所長
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-193806
公開番号(公開出願番号):特開平11-035390
出願日: 1997年07月18日
公開日(公表日): 1999年02月09日
要約:
【要約】【解決手段】ゴリオメーター6に気相原料を結晶成長させる基板を備えたX線透過材質で構成された密閉容器1とX線源7と2次元X線検出器9を設置すると共に、結晶成長中にX線源からのX線で基板面内をスキャンして得られるX線回折とX線トポグラフィを観察し、これより成長結晶の品質を評価して結晶成長条件を制御する結晶成長装置と方法【効果】閉鎖的な黒鉛るつぼの中で気相から結晶成長を行う際に、種結晶基板の温度を正確に測定し、且つ結晶成長速度、種結晶欠陥と成長結晶中の欠陥の相関関係などを明らかにすることができ、るつぼ壁温度などの外部パラメータだけで制御してきた結晶成長条件の最適化を、るつぼ形状、サイズなどによらずに決定することができる。
請求項(抜粋):
気相原料を結晶成長させる基板を備えたX線透過材質で構成された密閉容器とX線源と2次元X線検出器とをゴリオメーターに設置し、X線源からのX線が密閉容器内の基板面内をスキャンし、且つX線の照射により基板から発生するX線回折線が2次元X線検出器で検出されるようにしたことを特徴とする結晶成長装置。
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開昭50-118976
  • X線回折装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-045438   出願人:セイコー電子工業株式会社

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