特許
J-GLOBAL ID：200903092005767994

CMP研磨剤及び基板の研磨方法

発明者：
芳賀 浩二

芳賀 浩二 について

, 
平井 圭三

平井 圭三 について

, 
櫻田 剛史

櫻田 剛史 について


出願人/特許権者：
日立化成工業株式会社

日立化成工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-177702
公開番号（公開出願番号）：特開2001-358100
出願日： 2000年06月14日
公開日（公表日）： 2001年12月26日
要約：
【要約】【課題】 酸化珪素膜絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研磨でき、酸化珪素膜と窒化珪素膜の研磨速度比が高く(高選択性がある)、高平坦化が可能なCMP研磨剤及び酸化珪素膜絶縁膜等の被研磨面を傷なく高速に研磨でき、酸化珪素膜と窒化珪素膜の研磨速度比が高く、高平坦化が可能な基板の研磨方法を提供する。【解決手段】 酸化セリウム粒子、分散剤、アニオン系水溶性高分子及び水を含むCMP研磨剤において、酸化セリウム粒子のζ電位が-250〜-120mVであるCMP研磨剤並びに研磨する膜を形成した基盤を研磨定盤と研磨布に押し当て加圧し、前記CMP研磨剤を研磨膜と研磨布との間に供給しながら、基盤と研磨定盤を動かして研磨する基盤の研磨方法。
請求項（抜粋）：
酸化セリウム粒子、分散剤、アニオン系水溶性高分子及び水を含むCMP研磨剤において、酸化セリウム粒子のζ電位が-250〜-120mVであるCMP研磨剤。
IPC (5件)：
H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  C09K 13/00
FI (5件)：
H01L 21/304 622 D ,  B24B 37/00 H ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  C09K 13/00
Fターム (8件)：
3C058AC04 ,  3C058CB01 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM