特許

J-GLOBAL ID：200903082191830174

研磨剤及び基板の研磨法

発明者： 倉田 靖 ,  芦沢 寅之助 ,  平井 圭三 ,  赤堀 聡彦 ,  栗原 美穂 ,  吉田 誠人 ,  町井 洋一
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 若林 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-339270
公開番号（公開出願番号）：特開2000-160137
出願日： 1998年11月30日
公開日（公表日）： 2000年06月13日
要約：

【要約】【課題】窒化珪素膜との研磨速度比が大きくシャロー・トレンチ分離に適用可能な研磨剤を提供する。【解決手段】TEOS-CVD法で作製した酸化珪素絶縁膜を形成させたSiウエハを、酸化セリウム粒子、水、添加剤として陰イオン性界面活性剤を含む研磨剤で、そのpH及び粘度(mPa・s)が、pHをx座標、粘度をy座標とした(x,y)座標系において、A点(5.5,0.9)、B点(5.5,3.0)、C点(10.0,3.0)、D点(9.0,0.9)の4点で囲まれた領域範囲内にあるCMP研磨を用いて研磨する。

請求項（抜粋）：

酸化セリウム粒子、水、陰イオン性界面活性剤を含む研磨剤であり、そのpH及び粘度(mPa・s)が、pHをx座標、粘度をy座標とした(x,y)座標系において、A点(5.5,0.9)、B点(5.5,3.0)、C点(10.0,3.0)、D点(9.0,0.9)の4点で囲まれた領域範囲内にあることを特徴とする研磨剤。

IPC (6件)：

C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  B24B 37/00 ,  C01F 17/00 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/306

FI (7件)：

C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  B24B 37/00 H ,  B24B 37/00 B ,  C01F 17/00 A ,  H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/306 M

Fターム (19件)：

3C058AA07 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  4G076AA02 ,  4G076AA26 ,  4G076AB09 ,  4G076CA05 ,  4G076CA26 ,  4G076DA30 ,  5F043AA31 ,  5F043AA35 ,  5F043BB22 ,  5F043BB23 ,  5F043BB28 ,  5F043DD06 ,  5F043DD16 ,  5F043DD30 ,  5F043EE08 ,  5F043FF07

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-157385   出願人：株式会社東芝
• 酸化セリウム研磨剤および基板の研磨法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-265979   出願人：日立化成工業株式会社
• 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-258765   出願人：日立化成工業株式会社
• 研磨剤及び基板の研磨法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-035816   出願人：日立化成工業株式会社
• 研磨剤及び基板の研磨法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-039033   出願人：日立化成工業株式会社