特許
J-GLOBAL ID：200903092058022419
人工網膜およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-262746
公開番号（公開出願番号）：特開2008-079799
出願日： 2006年09月27日
公開日（公表日）： 2008年04月10日
要約：
【課題】簡便な方法で製造される人工網膜およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の人工網膜の製造方法は、(a)基板10を準備する工程と、(b)基板10の上方に第1非晶質層12aを形成する工程と、(c)フォトダイオード40を形成するため第1導電型および第2導電型の不純物をそれぞれ第1非晶質層12aの所定の領域に注入する工程と、(d)第1非晶質層12aの上方に絶縁層14を形成する工程と、(e)絶縁層14の上方に第2非晶質層52aを形成する工程と、(f)第1非晶質層12aおよび第2非晶質層52aを所望の特性を有するレーザーの照射により結晶化し、第1半導体層12および第2半導体層52を形成する工程と、(g)第2半導体52層にMISトランジスタ50を形成する工程と、を含むことを特徴とする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
(a)基板を準備する工程と、
(b)前記基板の上方に第1非晶質層を形成する工程と、
(c)前記第1非晶質層の上方に絶縁層を形成する工程と、
(d)フォトダイオードを形成するため第1導電型および第2導電型の不純物をそれぞれ前記第1非晶質層の所定の領域に注入する工程と、
(e)前記絶縁層の上方に第2非晶質層を形成する工程と、
(f)前記第1非晶質層および前記第2非晶質層をレーザー照射により結晶化し、第1半導体層および第2半導体層を形成する工程と、
(g)前記第2半導体層にMISトランジスタを形成する工程と、を含み、
前記工程(f)において使用される前記レーザーは、前記第2半導体層を通過し、前記第1非晶質層を結晶化することができる波長のレーザーであることを特徴とする人工網膜の製造方法。
IPC (3件)：
A61F 9/08
, A61F 2/14
, A61L 27/00
A61F9/08
, A61F2/14
, A61L27/00 D
4C081AB21
, 4C081CA031
, 4C081CA231
, 4C081CF131
, 4C081DC03
, 4C081DC04
, 4C081EA14
, 4C097AA24
, 4C097BB01
, 4C097CC02
, 4C097SA10
出願人引用 (1件)
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人工網膜及びその製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2004-234610
出願人：セイコーエプソン株式会社, 学校法人龍谷大学
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