特許

J-GLOBAL ID：200903092064562905

レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法

発明者： 畠山 潤 ,  吉原 隆夫 ,  原田 裕次 ,  草木 渉
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-259333
公開番号（公開出願番号）：特開2008-122932
出願日： 2007年10月03日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：

【解決手段】式(a-1),(a-2),(a-3)及びbの繰り返し単位を有する高分子化合物を含むレジスト材料。(R1、R4、R7、R14はH又はメチル基、R2、R3、R15、R16はH、又はアルキル基又はフッ素化アルキル基。R5はアルキレン基。 R6はフッ素置換アルキル基。 R8は単結合又はアルキレン基、R10、R11はH、F、メチル基又はトリフルオロメチル基、R12、R13は単結合又は-O-、-CR18R19-で、R9、R18、R19はH、F、メチル基又はトリフルオロメチル基。 R17はアルキレン基。 X1、X2、X3は-C(=O)-O-、-O-、又は-C(=O)-R20-C(=O)-O-、R20はアルキレン基。 0≦(a-1)<1、0≦(a-2)<1、0≦(a-3)<1、0<(a-1)+(a-2)+(a-3)<1、0<b<1、0<(a-1)+(a-2)+(a-3)+b≦1。)【効果】レジスト膜の水への溶出を抑制でき、パターン形状変化を低減できる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表される繰り返し単位を有する高分子化合物を含むものであることを特徴とするレジスト材料。

IPC (5件)：

G03F 7/004 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/38 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F7/004 501 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/38 501 ,  H01L21/30 502R

Fターム (20件)：

2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BF02 ,  2H025BF15 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096BA11 ,  2H096DA10 ,  2H096EA05 ,  2H096EA06 ,  2H096GA09

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料、および該保護膜を用いたレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-132081   出願人：東京応化工業株式会社
• 米国特許6869744号明細書
  
• 含フッ素環状化合物、含フッ素高分子化合物、それを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-044142   出願人：セントラル硝子株式会社
• レジスト保護膜材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-334977   出願人：信越化学工業株式会社
• レジスト保護膜材料及びパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-117444   出願人：信越化学工業株式会社