特許

J-GLOBAL ID：200903007354651572

レジスト保護膜材料及びパターン形成方法

発明者： 畠山 潤 ,  渡辺 武 ,  原田 裕次
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-117444
公開番号（公開出願番号）：特開2007-025634
出願日： 2006年04月21日
公開日（公表日）： 2007年02月01日
要約：

【解決手段】下記一般式(1)で示される部分構造を有する高分子化合物を含むことを特徴とするレジスト保護膜材料。(式中、R0は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜8のアルキル基又はアルキレン基であり、R1は炭素数1〜6の直鎖状又は分岐状のアルキル基又はアルキレン基で、少なくとも1個以上のフッ素原子を含む。)【効果】本発明のパターン形成方法によれば、レジスト膜上に形成されるレジスト保護膜が、非水溶性でアルカリ水溶液(アルカリ現像液)に溶解可能であり、しかもレジスト膜とミキシングしないものであるので、良好な液浸リソグラフィーを行うことができ、またアルカリ現像時にレジスト膜の現像と保護膜の除去とを同時に一括して行うことができる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される部分構造を有する高分子化合物を含むことを特徴とするレジスト保護膜材料。

IPC (3件)：

G03F 7/11 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/30

FI (3件)：

G03F7/11 501 ,  H01L21/30 575 ,  G03F7/30

Fターム (23件)：

2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025DA02 ,  2H025DA03 ,  2H025FA17 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA05 ,  2H096EA11 ,  2H096EA23 ,  2H096EA27 ,  2H096GA08 ,  2H096GA29 ,  2H096LA11 ,  5F046CB01 ,  5F046CB26 ,  5F046DA07 ,  5F046JA27

引用特許：

出願人引用 (6件)

• 特開昭62-62520号公報
  
• 特開昭62-62521号公報
  
• 特開昭60-38821号公報
  
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-250201   出願人：旭硝子株式会社
• 反射防止膜材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-088202   出願人：信越化学工業株式会社
• 特許第2803549号公報
  

審査官引用 (4件)

• 保護膜形成用材料、およびこれを用いたホトレジストパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-203150   出願人：東京応化工業株式会社
• レジスト積層体の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-127304   出願人：ダイキン工業株式会社
• 液浸リソグラフィーに用いるレジスト積層体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-010900   出願人：ダイキン工業株式会社
• 特願2006-037110
  出願番号：特願2006-037110  

引用文献：

審査官引用 (3件)

• Synthesis of Fluorineted Materials for 193-nm Lithography
• Synthesis of Fluorinated Materials for 193-nm Immersion Lithography and 157-nm Lithography
• Novel fluorinated polymers for application in 193-nm lithography and 193-nm immersion lithography