特許
J-GLOBAL ID：200903045647831353

SOI半導体デバイス

発明者：
トッド・アラン・クリステンセン

トッド・アラン・クリステンセン について

, 
ジョン・シーツ

ジョン・シーツ について


出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション について


代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-001424
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209468
出願日： 1998年01月07日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 所与の面内の金属配線を減らし、それによって高密度応用例でのデバイス性能を高め、設計の柔軟性を高める方法およびデバイスを提供する。【解決手段】 導電性基板と、絶縁層と、不純物でドープされ、第1のトランジスタおよび第2のトランジスタを形成するシリコン層と、第1のトランジスタと第2のトランジスタとの間の分離ボリュームと、ドープされたシリコン層から基板に延びる導電性スタッドとを有する半導体デバイスを提供する。
請求項（抜粋）：
(a)導電性基板と、(b)絶縁層と、(c)トランジスタを形成するために不純物でドープしたシリコン層と、(d)前記シリコン層と前記基板を電気的に接続する導電性スタッドとを有する半導体デバイス。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 27/12
FI (3件)：
H01L 29/78 626 C ,  H01L 27/12 C ,  H01L 29/78 626 Z
引用特許：
審査官引用 (6件)
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