特許
J-GLOBAL ID：200903092174219017
半導体装置の製造方法及び製造装置及び半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-203998
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050682
出願日： 1996年08月01日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：
【要約】【解決手段】半導体装置のSi窒化膜を熱燐酸でエッチング除去する工程において、熱燐酸に弗化水素を添加する。Si基板101を熱燐酸中に浸すと、Si成分の溶解が進行する。Si成分の溶解した熱燐酸は、燐酸槽201よりポンプ202にて吸引され、フィルター203でフィルタリングされた後、石英製加熱ヒーター204で所定の液温となるよう加熱され、沸騰状態のまま再び燐酸槽201に戻り循環している。弗化水素は石英製加熱ヒーター204出口で、弗化水素供給装置205を用いて弗化水素酸又は弗化水素ガスとして添加される。添加された弗化水素は循環中に熱燐酸中に溶解しているSi成分と反応してヘキサフルオロケイ酸となり、燐酸槽液面より沸騰時の水蒸気と共に除去される。【効果】Si成分が析出しにくくなるか又は析出しなくなる。よって熱燐酸の液寿命が延長されたことにより液使用量が削減され、コストダウンが可能となる。
請求項（抜粋）：
Si基板又はSi薄膜を主体構成する半導体装置のSi窒化膜を燐酸でエッチング除去する工程において、燐酸に弗化水素を添加することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/308
, H01L 21/306
H01L 21/308 E
, H01L 21/306 J
