特許

J-GLOBAL ID：200903092200503683

強誘電体および誘電体薄膜コンデンサ、圧電素子

発明者： 小西 義則
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-346939
公開番号（公開出願番号）：特開2003-146660
出願日： 2001年11月13日
公開日（公表日）： 2003年05月21日
要約：

【要約】【課題】環境問題から、PbTiO3 の代替として、鉛を含まない或いは鉛含有量の少ない強誘電体を提供する。【解決手段】単純ペロブスカイト構造のSnTiO3 および、SnTiO3と従来の他のペロブスカイト型強誘電体との固溶体がPbTiO3 に近い強誘電性を示すことを明らかにした。

請求項（抜粋）：

一般式ABO3 のぺロブスカイト酸化物において、SnがAサイト、TiがBサイトを占めるSnTiO3 を主成分とする単純ぺロブスカイト構造の強誘電体。

IPC (11件)：

C01G 23/00 ,  C04B 35/46 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/28 ,  H01G 4/12 397 ,  H01G 4/33 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/105 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/18

FI (11件)：

C01G 23/00 C ,  C04B 35/46 C ,  C04B 35/46 J ,  C23C 14/08 N ,  C23C 14/28 ,  H01G 4/12 397 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/18 101 Z ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/10 444 C

Fターム (42件)：

4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA11 ,  4G031AA31 ,  4G031AA32 ,  4G031BA09 ,  4G031BA10 ,  4G031CA07 ,  4G031CA08 ,  4G047CA05 ,  4G047CA07 ,  4G047CB04 ,  4G047CC02 ,  4G047CD08 ,  4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029CA01 ,  4K029DB20 ,  5E001AB06 ,  5E001AE00 ,  5E001AE01 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E082AB03 ,  5E082BC01 ,  5E082EE05 ,  5E082EE23 ,  5E082EE37 ,  5E082FG03 ,  5E082FG26 ,  5F038AC05 ,  5F038AC15 ,  5F038AC16 ,  5F038AC18 ,  5F038EZ20 ,  5F083FR01 ,  5F083JA13 ,  5F083JA38 ,  5F083JA45 ,  5F083JA47 ,  5F083PR22

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 圧電材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-220975   出願人：株式会社豊田中央研究所
• 誘電体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-321577   出願人：松下電器産業株式会社
• 酸化物薄膜構造物および薄膜の製造方法並びに圧電センサー・アクチュエータ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-337262   出願人：松下電器産業株式会社