特許
J-GLOBAL ID：200903092203365214
薄膜キャパシタ素子、その製造方法及び電子装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
石田 敬
, 吉田 維夫
, 鶴田 準一
, 西山 雅也
, 樋口 外治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-066787
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281446
出願日： 2003年03月12日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：
【課題】容量の高い電圧追従性と高い容量密度を同時に満足させることのできる薄膜キャパシタ素子を提供すること。【解決手段】誘電体層を下部電極層及び上部電極層で挟んで構成されたキャパシタ構造体を含む薄膜キャパシタ素子において、誘電体層が、次式(I)により表される高誘電率の誘電材料:(Ba(1-y)(1-x)Sr(1-y)xYy)Ti1+zO3+δ ...(I)(上式において、0<x<1であり、0.007<y<0.02であり、-1<δ<0.5であり、そして (Ba(1-y)(1-x)+ Sr(1-y)x)/Ti1+z < 1である)からなるように構成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と,その基板の上方に形成された、誘電体層を下部電極層及び上部電極層で挟んで構成されたキャパシタ構造体とを含む薄膜キャパシタ素子であって、
前記誘電体層が、次式(I)により表される高誘電率の誘電材料:
(Ba(1-y)(1-x)Sr(1-y)xYy)Ti1+zO3+δ ...(I)
(上式において、0<x<1であり、0.007<y<0.02であり、-1<δ<0.5であり、そして (Ba(1-y)(1-x)+ Sr(1-y)x)/Ti1+z < 1である)からなることを特徴とする薄膜キャパシタ素子。
IPC (3件)：
H01L21/822
, H01G4/33
, H01L27/04
H01L27/04 C
, H01G4/06 102
5E082AA20
, 5E082AB10
, 5E082BB10
, 5E082BC40
, 5E082EE05
, 5E082EE23
, 5E082EE37
, 5E082FF05
, 5E082FG03
, 5E082FG27
, 5E082FG42
, 5E082GG11
, 5E082GG28
, 5E082HH26
, 5E082JJ06
, 5E082JJ23
, 5E082KK10
, 5E082LL15
, 5F038AC05
, 5F038AC15
, 5F038EZ14
, 5F038EZ17
, 5F038EZ20
