特許

J-GLOBAL ID：200903092217810458

SOI基板の製造方法

発明者： 瀬口 洋平 ,  徳重 信明
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-092659
公開番号（公開出願番号）：特開平10-284431
出願日： 1997年04月11日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：

【要約】【課題】 酸素イオン注入により、シリコン基板中にシリコン酸化膜を形成するため、表面シリコン層に貫通転位が発生し、トランジスタの特性劣化や、埋め込み酸化膜の耐圧不良を招く。【解決手段】 まず、シリコン基板1に高濃度の酸素イオン注入を行い、高濃度酸素注入層3を形成する。次に、埋め込み酸化層5の形成のためArに0.5%の濃度の酸素雰囲気中で、1350°Cで4時間程の熱処理を行う。次に、表面シリコン層の熔融と再結晶化のため、パルスレーザーアニールを行う。パルスレーザーは、1200mJ/cm2以上のエネルギー密度で照射する。照射時のパワー密度が107W/cm2と極めて大きいので半導体表面を数10nsecで熔融することができる。このパルスレーザーアニールを繰り返すことにより、熔融と再結晶を繰り返し、結晶欠陥の動きが活発化し、結晶種を基礎とした損傷回復が行われる。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン基板の所定の深さの領域に酸素をイオン注入した後、熱処理により、上記酸素イオン注入領域にシリコン酸化膜を形成する工程と、上記単結晶シリコン基板の上記シリコン酸化膜より表面側のシリコンに対してパルスレーザアニールを行い、上記イオン注入によるシリコン基板の損傷を回復させる工程とを有することを特徴とする、SOI基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12

FI (5件)：

H01L 21/265 J ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 E ,  H01L 27/12 R ,  H01L 21/265 602 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• SOI基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-162306   出願人：ソニー株式会社
• SOI基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-081348   出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱電機株式会社
• 特開昭59-094411
  
• 特開昭59-094411