Al系金属層のプラズマエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-008609
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203911
出願日： 1995年01月24日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】 Al系金属層のプラズマエッチングにおいて、エッチングマスクとの選択比が大きく、異方性に優れ、パーティクル汚染やアフターコロージョンの少ないプロセスを提供する。【構成】エッチングマスクとしてSiOF等フッ素を含む無機系材料層4を用いてAl系金属層3をプラズマエッチングする。【効果】フッ素を含む無機系材料層4によるエッチングマスクがスパッタリングされ、これにより供給される活性フッ素により、パターニング中のAl系金属層3の側面にはAlFx 系の側壁保護膜6が形成される。このためAl系金属層3は異方的にパターニングされるとともに、この側壁保護膜6はClを含まないのでアフターコロージョンの虞れがない。イオウ系材料による側壁保護膜を併用すればこの効果は徹底される。

請求項（抜粋）：

Fを含む無機系材料層をエッチングマスクとし、Al系金属層をパターニングすることを特徴とする、Al系金属層のプラズマエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3213 , H01L 21/3065 , H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/88 D , H01L 21/302 G , H01L 21/88 R

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平1-134951
特開昭59-218433
特開平3-136240

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