特許

J-GLOBAL ID：200903092267240113

樹脂封止型半導体装置

発明者： 河田 達男 ,  鈴木 宏 ,  幸島 博起 ,  宮林 和彦 ,  堀江 修
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 穂高 哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-082685
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273251
出願日： 1994年03月30日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】 Cuリードフレームを用いた薄型表面実装型の樹脂封止型半導体装置において、半田付け時のフクレやクラックが発生せず、その後の熱衝撃試験時に、Au線が断線することがない樹脂封止型半導体装置を提供する。【構成】 Siチップ面積が25mm2以上又は一辺の長さが5mm以上で、パッケージの厚さが3mm以下であり、リードフレームがCuであるエポキシ樹脂封止材で封止された薄型表面実装型の樹脂封止型半導体装置において、エポキシ樹脂封止材がエポキシ樹脂と硬化剤と65〜76vol%の結晶シリカと溶融シリカとの混合物又は結晶シリカからなる無機充填材とを含有し、線膨張係数α1が1.6〜2.0×10-5/°Cである樹脂封止型半導体装置。

請求項（抜粋）：

Siチップ面積が25mm2以上又は一辺の長さが5mm以上で、パッケージの厚さが3mm以下であり、リードフレームがCuであるエポキシ樹脂封止材で封止された薄型表面実装型の樹脂封止型半導体装置において、エポキシ樹脂封止材がエポキシ樹脂と硬化剤と65〜76vol%の結晶シリカと溶融シリカとの混合物又は結晶シリカからなる無機充填材とを含有し、線膨張係数α1が1.6〜2.0×10-5/°Cであることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08G 59/24 NHQ ,  C08G 59/62 NJR ,  C08L 63/00 NKX

引用特許：

審査官引用 (7件)

• 特開平4-114028
  
• 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-182716   出願人：松下電工株式会社
• 特開平1-171257
  
• 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及びその組成物で封止した半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-120957   出願人：日立化成工業株式会社
• 半導体封止用エポキシ樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-237170   出願人：東レ株式会社
• 特開平4-114028
  
• 特開平1-171257