特許

J-GLOBAL ID：200903092282463510

トンネル磁気抵抗効果素子及びこの素子を用いた方位検知システム

発明者： 高 太好
出願人/特許権者： 株式会社リコー ,  東北リコー株式会社
代理人 (1件)： 柏木 慎史 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-185843
公開番号（公開出願番号）：特開2003-008101
出願日： 2001年06月20日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】 小型・軽量で高感度なTMR素子を提供する。【解決手段】 元々薄膜技術等を用いて作製されるTMR素子1であるので、小型・軽量化を図れる上に、磁界感知補助用軟磁性層3に積層されて当該磁界感知補助用軟磁性層3よりも抗磁力が大きくスピン偏極率の高い第1のスピン偏極層4の膜厚に関して低抗磁力とTMR比とを両立できるように、第1のスピン偏極層4の膜厚が、トンネル層5の膜厚未満又は2nm未満の何れかのうちで小さい方の値となるように適正化することで、センサとしての磁界感度が向上するようにした。

請求項（抜粋）：

素子の一面に配された磁界感知補助用軟磁性層と、この磁界感知補助用軟磁性層に積層されて当該磁界感知補助用軟磁性層よりも抗磁力が大きくスピン偏極率の高い第1のスピン偏極層と、これらの磁界感知補助用軟磁性層と第1のスピン偏極層とを覆う絶縁部材又は誘電体部材によるトンネル層と、このトンネル層上に前記第1のスピン偏極層相当の第2のスピン偏極層とを有し、これらの積層構造により磁気検知部が形成されたトンネル磁気抵抗効果素子であって、前記第1のスピン偏極層の膜厚が、前記トンネル層の膜厚未満又は2nm未満の何れかのうちで小さい方の値であることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。

IPC (5件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/02 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/32 ,  G01R 33/09

FI (7件)：

H01L 43/08 Z ,  H01L 43/08 U ,  G01R 33/02 K ,  G01R 33/02 L ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/32 ,  G01R 33/06 R

Fターム (15件)：

2G017AA01 ,  2G017AA06 ,  2G017AD55 ,  2G017AD56 ,  2G017AD62 ,  2G017AD63 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA15 ,  5D034CA08 ,  5E049BA16 ,  5E049CB01 ,  5E049CC08 ,  5E049GC01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁気センサ、その製造方法及び磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-053020   出願人：富士通株式会社
• 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記録再生装置、および磁気抵抗効果ヘッドの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-093935   出願人：株式会社東芝
• 磁気抵抗素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-084081   出願人：ヤマハ株式会社
• 特開昭63-191084