特許
J-GLOBAL ID：200903092283018447

高周波半導体装置

発明者：
青木 芳雄

青木 芳雄 について

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耳野 裕

耳野 裕 について

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馬場 修

馬場 修 について

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後藤 宗春

後藤 宗春 について


出願人/特許権者：
富士通カンタムデバイス株式会社

富士通カンタムデバイス株式会社 について


代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-099958
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299563
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：
【要約】【課題】 多層配線構造を有する高周波用半導体集積回路では、高周波線路特性が安定で分散特性が少ないマイクロストリップ線路が使用されるが、高周波線路では、配線長のみならず、接地プレートなど配線相互の関係も、信号伝達時間に著しい影響を与えるので、同一信号を複数のノードにタイミングを揃えて分割伝達するのは必ずしも容易ではない。【解決手段】 半導体基板上に設けられ、接地電位に接続される接地プレートと、接地プレート上に層間絶縁膜を介して多層に設けられ、その電気的中間点に位置するスルーホールによって各層間が相互に接続されることで、給電点が統合される複数の線路導体とを備えることを特徴とする高周波半導体装置。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けられ、接地電位に接続される接地プレートと、前記接地プレート上に層間絶縁膜を介して多層に設けられ、その電気的中間点に位置するスルーホールによって各層間が相互に接続されることで、給電点が統合される複数の線路導体とを備えることを特徴とする高周波半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/82 ,  H01L 21/768
FI (5件)：
H01L 27/04 D ,  H01L 21/82 W ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 C ,  H01L 21/90 S
Fターム (29件)：
5F033NN37 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033UU05 ,  5F033VV08 ,  5F033VV09 ,  5F033VV10 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27 ,  5F038AV20 ,  5F038AZ01 ,  5F038CD04 ,  5F038CD05 ,  5F038CD09 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ20 ,  5F064BB21 ,  5F064BB40 ,  5F064CC06 ,  5F064CC22 ,  5F064CC23 ,  5F064CC30 ,  5F064EE08 ,  5F064EE16 ,  5F064EE23 ,  5F064EE27 ,  5F064EE47 ,  5F064EE52
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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