特許
J-GLOBAL ID：200903092299702119

圧電磁器およびその製法、積層型圧電素子およびその製法、並びに噴射装置

発明者：
川元 智裕

川元 智裕 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-426895
公開番号（公開出願番号）：特開2005-179161
出願日： 2003年12月24日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：
【課題】低温焼成が可能で、キュリー温度および実効的な圧電歪定数が高く、高温耐久信頼性に優れた圧電磁器およびその製法、積層型圧電素子および噴射装置を提供する。【解決手段】AサイトにPbを、BサイトにZrおよびTiを少なくとも含むペロブスカイト型複合酸化物からなる圧電磁器であって、前記Bサイトの平均価数が4.002〜4.009であることを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
AサイトにPbを、BサイトにZrおよびTiを少なくとも含むペロブスカイト型複合酸化物からなる圧電磁器であって、前記Bサイトの平均価数が4.002〜4.009であることを特徴とする圧電磁器。
IPC (6件)：
C04B35/49 ,  F02M61/20 ,  H01L41/083 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22 ,  H01L41/24
FI (9件)：
C04B35/49 A ,  F02M61/20 M ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/18 101J ,  H01L41/08 S ,  H01L41/08 Q ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/22 A ,  H01L41/08 R
Fターム (28件)：
3G066AD07 ,  3G066BA46 ,  3G066BA54 ,  3G066CC06U ,  3G066CC14 ,  3G066CD15 ,  3G066CE27 ,  4G031AA01 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA14 ,  4G031AA18 ,  4G031AA32 ,  4G031AA34 ,  4G031BA10 ,  4G031CA01 ,  4G031CA04 ,  4G031CA07 ,  4G031CA08 ,  4G031GA01 ,  4G031GA02 ,  4G031GA03 ,  4G031GA11
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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