特許
J-GLOBAL ID：200903010636170950

積層型圧電素子及び噴射装置

発明者：
川元 智裕

川元 智裕 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-100379
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299710
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：
【要約】【課題】低温で内部電極と圧電磁器を同時焼成して作製でき、実効的な圧電歪定数が大きく変位特性に優れた積層型圧電素子及び噴射装置を提供する。【解決手段】圧電体と内部電極とを交互に積層してなる積層型圧電素子において、前記内部電極中の全金属に対するAg含有量が90重量%以上であるとともに、前記圧電体が、Pb、Zr及びTiを主成分とするペロブスカイト型複合酸化物であって、該ペロブスカイト型複合酸化物のBサイトの一部が、Wと、Znと、Nbと、Y、Dy、Ho、Er、Tm、Lu及びYbのうち少なくとも1種とで置換されている。
請求項（抜粋）：
圧電体と内部電極とを交互に積層してなる積層型圧電素子において、前記内部電極中の全金属に対するAg含有量が90重量%以上であるとともに、前記圧電体が、Pb、Zr及びTiを主成分とするペロブスカイト型複合酸化物であって、該ペロブスカイト型複合酸化物のBサイトの一部が、Wと、Znと、Nbと、Y、Dy、Ho、Er、Tm、Lu及びYbのうち少なくとも1種とで置換されていることを特徴とする積層型圧電素子。
IPC (8件)：
H01L 41/083 ,  C04B 35/49 ,  F02M 47/00 ,  F02M 51/00 ,  F02M 51/06 ,  F02M 61/20 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/187
FI (10件)：
C04B 35/49 A ,  C04B 35/49 M ,  C04B 35/49 S ,  F02M 47/00 C ,  F02M 51/00 E ,  F02M 51/06 N ,  F02M 61/20 N ,  H01L 41/08 S ,  H01L 41/08 U ,  H01L 41/18 101 F
Fターム (28件)：
3G066AB02 ,  3G066BA00 ,  3G066BA61 ,  3G066CC06S ,  3G066CC08T ,  3G066CC08U ,  3G066CC14 ,  3G066CC51 ,  3G066CC64U ,  3G066CD17 ,  3G066CD18 ,  3G066CD30 ,  3G066CE12 ,  3G066CE27 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA14 ,  4G031AA18 ,  4G031AA26 ,  4G031AA32 ,  4G031AA39 ,  4G031BA10 ,  4G031CA03
引用特許：
審査官引用 (5件)
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