特許
J-GLOBAL ID：200903032122844034

積層圧電素子用圧電磁器組成物、積層圧電素子、積層圧電素子の製造方法および積層圧電装置

発明者：
小川 智之

小川 智之 について

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久木 俊克

久木 俊克 について

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堀川 勝弘

堀川 勝弘 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


代理人 (1件)： 岡田 全啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-253199
公開番号（公開出願番号）：特開2003-055045
出願日： 2001年08月23日
公開日（公表日）： 2003年02月26日
要約：
【要約】【課題】 PZTのTi、ZrサイトにNb、Sb、Wのうち少なくとも1種を置換した2成分PZT圧電磁器において、Ag/Pd比が7/3以上の内部電極を用いた積層圧電素子の作製に適した積層圧電素子用圧電磁器組成物を提供する。【解決手段】 積層圧電素子用圧電磁器組成物は、組成式Pbz 〔(Tix Zr1-x )1-y My 〕O3 (ただし、MはNb、Sb、Wのうち少なくとも1種)の組成で表される。その組成式中のx、yは、0.45≦x≦0.52、0.005≦y≦0.03であり、かつ、その組成式中のzが0.95≦z≦0.998となるようにPbを化学量論組成より減じた。
請求項（抜粋）：
組成式Pbz 〔(Tix Zr1-x )1-y My 〕O3 (ただし、MはNb、Sb、Wのうち少なくとも1種)の組成で表され、前記組成式中のx、yは0.45≦x≦0.52、0.005≦y≦0.03であり、かつ前記組成式中のzが0.95≦z≦0.998となるようにPbを化学量論組成より減じた、積層圧電素子用圧電磁器組成物。
IPC (4件)：
C04B 35/49 ,  H01L 41/083 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/22
FI (4件)：
C04B 35/49 D ,  H01L 41/18 101 D ,  H01L 41/08 S ,  H01L 41/22 Z
Fターム (8件)：
4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA14 ,  4G031AA18 ,  4G031AA32 ,  4G031BA10
引用特許：
審査官引用 (9件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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