特許
J-GLOBAL ID：200903092391342480

半導体電力変換装置

発明者：
塚越 昌彦

塚越 昌彦 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-049587
公開番号（公開出願番号）：特開2001-238432
出願日： 2000年02月25日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：
【要約】【課題】正バイアス領域のゲート信号本来の特性を損なうことなく、ゲート帰還信号を検出することにある。【解決手段】制御器から出力されるゲート制御信号22がオンの時ゲート正バイアス電圧のゲート信号25を出力し、ゲート制御信号がオフの時ゲート負バイアス電圧のゲート信号25を出力して半導体素子26を駆動するゲート駆動回路20を備えた半導体電力変換装置において、ゲート駆動回路20より半導体素子26に与えられるゲート信号25が負バイアス領域の所定電圧以下となったときだけ半導体素子26がオフであることを検出してゲート帰還信号32を出力し、ゲートが所定電圧以上のときはゲート信号の流入を阻止するゲート負バイアス検出器33を設ける。
請求項（抜粋）：
制御器から出力されるゲート制御信号がオンの時ゲート正バイアス電圧のゲート信号を出力し、ゲート制御信号がオフの時ゲート負バイアス電圧のゲート信号を出力して半導体素子を駆動するゲート駆動回路を備えた半導体電力変換装置において、前記ゲート駆動回路より前記半導体素子に与えられるゲート信号が負バイアス領域の所定電圧以下となったときだけ前記半導体素子がオフであることを検出してゲート帰還信号を出力し、ゲート信号が前記所定電圧以上のときはゲート信号の流入を阻止するゲート負バイアス検出器を設けたことを特徴とする半導体電力変換装置。
IPC (3件)：
H02M 1/08 ,  H02M 1/08 301 ,  H02M 1/00
FI (3件)：
H02M 1/08 A ,  H02M 1/08 301 B ,  H02M 1/00 E
Fターム (11件)：
5H740AA08 ,  5H740BA11 ,  5H740BB05 ,  5H740BB09 ,  5H740BB10 ,  5H740BC01 ,  5H740BC02 ,  5H740HH06 ,  5H740JA01 ,  5H740JB02 ,  5H740KK08
引用特許：
審査官引用 (5件)
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