半導体受光素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：眞鍋潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-119254
公開番号（公開出願番号）：特開2000-312020
出願日： 1999年04月27日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
要約：

【要約】【課題】半導体受光素子に関し、短絡電極を設けることなく、受光部に伴う空乏層の周辺で発生した光電流に寄与しないキャリアを効率良く捕獲して応答特性を高める。【解決手段】一導電型半導体層の一部に逆導電型受光部4を設けた半導体受光素子の逆導電型受光部4の周辺部に逆導電型領域5を設け、この逆導電型領域5を電気的に浮遊状態とする。

請求項（抜粋）：

一導電型半導体層の一部に逆導電型受光部を設けた半導体受光素子において、前記逆導電型受光部の周辺部に逆導電型領域を設け、前記逆導電型領域を電気的に浮遊状態としたことを特徴とする半導体受光素子。

Fターム (16件)：

5F049MA04 , 5F049MB07 , 5F049MB12 , 5F049NA03 , 5F049NA18 , 5F049NB01 , 5F049PA04 , 5F049PA09 , 5F049SE05 , 5F049SE12 , 5F049SS04 , 5F049SZ03 , 5F049SZ12 , 5F049TA12 , 5F049TA14 , 5F049WA01

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平2-214171
受光素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-229219 出願人：松下電器産業株式会社
特開平2-214171

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