特許
J-GLOBAL ID：200903098082732549
受光素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-229219
公開番号（公開出願番号）：特開平11-068144
出願日： 1997年08月26日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】 高速の光応答をする受光素子において本来の光電流よりも非常に遅い応答をする光電流成分(テールカレント)を低減した受光素子を実現する。【解決手段】 n型InP半導体基板101上に低濃度n型InGaAs光吸収層102および低濃度n型InP窓層103が順次積層されている。窓層103には島状にZn等のp不純物が拡散された拡散領域104が形成されており、拡散領域104上にはリング状の負電極105が形成されている。一方、拡散領域104外の窓層103上には絶縁膜106が堆積されており、絶縁膜106上のパッド107と負電極105は配線108によって接続されている。さらに、拡散領域104を取り囲んで、配線108とは重ならないように絶縁膜106上に遮光膜109が形成されている。ここで、パッド107と配線108と遮光膜109は同時に蒸着された金属薄膜をパターニングしたものである。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に順次積層された光吸収層および窓層と、前記窓層に島状に形成された拡散領域と、前記拡散領域上に形成された負電極と、前記窓層上に形成された絶縁膜と、前記拡散領域以外の前記絶縁膜上に形成されたパッドと、前記負電極と前記パッドを接続する前記絶縁膜上に形成された配線と、前記拡散領域を取り囲んで前記配線とは重ならないように前記絶縁膜上に形成された遮光膜とを有することを特徴とする受光素子。
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (6件)
全件表示
前のページに戻る
