特許
J-GLOBAL ID：200903092414908117

露光装置および露光方法

発明者：
清水 秀夫

清水 秀夫 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体先端テクノロジーズ

株式会社半導体先端テクノロジーズ について


代理人 (1件)： 高田 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-054192
公開番号（公開出願番号）：特開2003-257818
出願日： 2002年02月28日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：
【要約】【課題】 ウェハ周辺部で精度良くフォーカス・レベリングを測定する。デフォーカスによるパターン崩れの問題を低減する。【解決手段】 ウェハ3の隣接ショット4aを露光する際、隣接ショット4aの表面状態を先読みセンサ7又は本センサ8により測定するとともに、隣接ショット4aに隣接する周辺ショット4bの一部の表面状態を近傍センサ9により測定する。この測定された隣接ショット4aの表面状態の測定結果と、周辺ショット4bの一部の表面状態の測定結果とを基にして、周辺ショット4bのフォーカス・レベリングを行う。
請求項（抜粋）：
露光前に基板の表面状態を測定する露光装置であって、前記基板を保持するステージと、前記基板の第1露光領域内の表面状態を測定する第1センサと、前記第1露光領域の近傍の表面状態を測定する第2センサと、前記第1センサ及び前記第2センサの測定結果に基づき、前記ステージを駆動する駆動部と、を備えたことを特徴とする露光装置。
IPC (2件)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521
FI (2件)：
G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 526 A
Fターム (4件)：
5F046BA03 ,  5F046DA14 ,  5F046DB05 ,  5F046DC10
引用特許：
審査官引用 (2件)

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