特許
J-GLOBAL ID：200903092428915299

多層配線基板

発明者：
諏訪脇 裕二

諏訪脇 裕二 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-130886
公開番号（公開出願番号）：特開2005-317587
出願日： 2004年04月27日
公開日（公表日）： 2005年11月10日
要約：
【課題】 出力信号波形の歪みや信号の遅延を抑えて、高速な半導体素子の信号を誤動作なく正確に伝送する高性能の多層配線基板を提供すること。 【解決手段】 本発明の多層配線基板1は、基板2の主面に順次積層された第一乃至第三の絶縁層7a〜7cの層間に、電極パッド6に対向する部位から放射状にかつ線幅が外側に向かうに伴って漸次増大するように形成された信号線路4と、下部接地導体3および上部接地導体5に形成され、信号線路4と対向する位置に放射状に配列されるとともに外側に向かうに伴って漸次開口面積が大きくなるように形成された開口部8を有しており、信号線路4の線幅を漸次増大させて配線抵抗を低くするとともに、線幅の増大に伴う特性インピーダンスの変動を一定の範囲内に収めたものとできる。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
絶縁層が複数積層されて成るとともに前記絶縁層の層間に配線導体が形成された基板と、該基板の主面に順次積層された第一乃至第三の絶縁層と、該第三の絶縁層の上面の中央部に形成された複数の電極パッドと、前記第一および第二の絶縁層の層間の前記複数の電極パッドに対向する部位から放射状にかつ線幅が外側に向かうに伴って漸次増大するように形成された信号線路と、前記基板および第一の絶縁層の層間に形成された下部接地導体と、前記第二および第三の絶縁層の層間に形成された上部接地導体とを具備しており、前記下部接地導体および前記上部接地導体は、前記信号線路と対向する位置に放射状に配列されるとともに外側に向かうに伴って漸次開口面積が大きくなるように形成された複数の開口部を有していることを特徴とする多層配線基板。
IPC (3件)：
H01L23/12 ,  H05K1/02 ,  H05K3/46
FI (4件)：
H01L23/12 N ,  H05K1/02 N ,  H05K3/46 Z ,  H01L23/12 Q
Fターム (19件)：
5E338AA03 ,  5E338CC02 ,  5E338CC06 ,  5E338CD02 ,  5E338CD14 ,  5E338CD23 ,  5E338CD25 ,  5E338CD32 ,  5E338EE13 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA35 ,  5E346BB02 ,  5E346BB04 ,  5E346BB07 ,  5E346BB11 ,  5E346BB16 ,  5E346HH03 ,  5E346HH05
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 配線基板
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-308498   出願人：株式会社日立製作所
  • 薄膜多層配線基板
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-111533   出願人：株式会社東芝

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