レーザ加工方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-277186
公開番号（公開出願番号）：特開2003-088976
出願日： 2001年09月12日
公開日（公表日）： 2003年03月25日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】加工対象物の表面に不必要な割れを発生させることなくかつその表面が溶融しないレーザ加工方法を提供する。【解決手段】加工対象物1の内部に集光点Pを合わせてレーザ光Lを照射し、加工対象物1の切断予定ライン5に沿って加工対象物1の内部に多光子吸収による改質領域を形成する第1の工程と、第1の工程後、改質領域に集光点Pを合わせて、第1の工程と同じレーザ光照射を行い、切断予定ライン5に沿って加工対象物1が切断される箇所にストレスを生じさせる第2の工程と、を備えることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成する第1の工程と、前記第1の工程後、前記加工対象物の非改質領域に対して透過性を有しかつ前記非改質領域に比べ前記改質領域に対して高い吸収性を有するレーザ光を前記改質領域に照射し、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物が切断される箇所にストレスを生じさせる第2の工程と、を備えるレーザ加工方法。

IPC (7件)：

B23K 26/00 320 , B23K 26/00 , B23K 26/04 , B28D 5/00 , C03B 33/09 , H01L 21/301 , B23K101:42

FI (7件)：

B23K 26/00 320 E , B23K 26/00 N , B23K 26/04 C , B28D 5/00 Z , C03B 33/09 , B23K101:42 , H01L 21/78 B

Fターム (22件)：

3C069AA01 , 3C069BA08 , 3C069BB03 , 3C069BB04 , 3C069BC01 , 3C069CA05 , 3C069CA06 , 3C069CA11 , 3C069EA02 , 3C069EA04 , 3C069EA05 , 4E068AE01 , 4E068CA02 , 4E068CA03 , 4E068CB06 , 4E068DA10 , 4E068DA11 , 4E068DB12 , 4E068DB13 , 4G015FA07 , 4G015FB01 , 4G015FC10

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平3-124486
特開平4-167985
窒化物半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-328665 出願人：日亜化学工業株式会社

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